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数数智（c）新鲜铟箔和与LPSCl接触7天铟箔的SEM图像和Raman光谱。因此我们对锂铟枝晶的生长提出如下猜想：智化当电池在高负载、大电流下循环时，充电时大量锂离子进入铟基体，引起枝晶尖端的膨胀。

上述分析证明，创新金属In与电解质LPSCl接触会发生界面反应，且In2S3为主要的反应产物。平台水洗后低倍（j）和高倍（k）下的锂铟枝晶。然而，构建从第890个循环开始，充电比容量逐渐增加，而相应的放电比容量逐渐下降，电池出现过充电现象（图1b）。

显然，企业由于阻力最小，晶界和孔隙是优先的膨胀通道。（b）模拟过程中In-S、远光源动In-Cl和P-S键径向分布函数的演化。

数数智EELS图谱（图4f）进一步证明在中间层产生了不同于锂铟枝晶和LPSCl电解质的新相。

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